Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln 2N6387G

ON Semiconductor 2N6387G

Artikelnummer
2N6387G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN DARL 60V 10A TO220AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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    0.23982/pcs

  • 1,000 pcs

    0.19185/pcs
Gesamt:0.45000/pcs Unit Price:
0.45000/pcs		 Zielpreis:
 Menge:
Produktparameter
Artikelnummer 2N6387G
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 10A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 60V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 100mA, 10A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 5A, 3V
Leistung max 2W
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Lieferantengerätepaket TO-220AB
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