Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln 2SB1122S-TD-E

ON Semiconductor 2SB1122S-TD-E

Artikelnummer
2SB1122S-TD-E
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS PNP 50V 1A SOT89-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Gesamt:0.06615/pcs Unit Price:
0.06615/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer 2SB1122S-TD-E
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 1A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 100mA, 2V
Leistung max 500mW
Frequenz - Übergang 150MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-243AA
Lieferantengerätepaket PCP
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