Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - HF 2SC5551AE-TD-E

ON Semiconductor 2SC5551AE-TD-E

Artikelnummer
2SC5551AE-TD-E
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN BIPO HI FREQ PCP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - HF
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Menge:
Produktparameter
Artikelnummer 2SC5551AE-TD-E
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 30V
Frequenz - Übergang 3.5GHz
Rauschzahl (dB Typ @ f) -
Gewinnen -
Leistung max 1.3W
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 90 @ 50mA, 5V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 300mA
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-243AA
Lieferantengerätepaket PCP
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