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| Artikelnummer | BF959G |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Transistor-Typ | NPN |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 20V |
| Frequenz - Übergang | 700MHz |
| Rauschzahl (dB Typ @ f) | 3dB @ 200MHz |
| Gewinnen | - |
| Leistung max | 625mW |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 40 @ 20mA, 10V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
| Lieferantengerätepaket | TO-92-3 |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT-143R
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 40MA SOT-143
Auf Lager: 15000
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143-4
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143-4
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 8V 25MA SOT143R
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANSISTOR RF NPN 12V SOT-23
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23
Auf Lager: 0
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: MOSFET N-CH 12V 200MA SOT-143
Auf Lager: 6000
