Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung DTC113EM3T5G

ON Semiconductor DTC113EM3T5G

Artikelnummer
DTC113EM3T5G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 0.26W SOT723
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Produktparameter
Artikelnummer DTC113EM3T5G
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 1k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 1k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 3 @ 5mA, 10V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang -
Leistung max 260mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-723
Lieferantengerätepaket SOT-723
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