Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung MUN5233DW1T1G

ON Semiconductor MUN5233DW1T1G

Artikelnummer
MUN5233DW1T1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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0.02343/pcs		 Zielpreis:
 Menge:
Produktparameter
Artikelnummer MUN5233DW1T1G
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 4.7k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 47k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang -
Leistung max 250mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363
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