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| Artikelnummer | NGTD17R120F2WP |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | - |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 35A |
| Geschwindigkeit | - |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 1µA @ 1200V |
| Kapazität @ Vr, F | - |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | Die |
| Lieferantengerätepaket | Die |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | 175°C (Max) |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
Auf Lager: 20763
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
Auf Lager: 22784
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Auf Lager: 55385
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Auf Lager: 27717
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Auf Lager: 20828
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: DIODE GEN PURP 650V DIE
Auf Lager: 28198
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
Auf Lager: 10718
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: DIODE GEN PURP 1.2KV DIE
Auf Lager: 25077
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Auf Lager: 3585
