Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln NJVMJD122T4G-VF01

ON Semiconductor NJVMJD122T4G-VF01

Artikelnummer
NJVMJD122T4G-VF01
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Produktparameter
Artikelnummer NJVMJD122T4G-VF01
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 8A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 100V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 4V @ 8A, 80mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 10µA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 4A, 4V
Leistung max 1.75W
Frequenz - Übergang -
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket DPAK-3
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