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| Artikelnummer | NVD6416ANLT4G-VF01 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 19A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 71W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 74 mOhm @ 19A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 34A DPAK
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V DPAK
Auf Lager: 67500
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
Auf Lager: 75000
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Auf Lager: 40000
