Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays SBC847BPDW1T3G

ON Semiconductor SBC847BPDW1T3G

Artikelnummer
SBC847BPDW1T3G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT-363
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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Produktparameter
Artikelnummer SBC847BPDW1T3G
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN, PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 45V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 600mV @ 5mA, 100mA / 650mV @ 5mA, 100mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 15nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 200 @ 2mA, 5V
Leistung max 380mW
Frequenz - Übergang 100MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Lieferantengerätepaket SC-88/SC70-6/SOT-363
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