ON Semiconductor STDV5804NT4G

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Produktparameter

Artikelnummer	STDV5804NT4G
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	69A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	2850pF @ 25V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	71W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	8.5 mOhm @ 30A, 10V
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	DPAK
Paket / Fall	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63