Artikelnummer | 2SK275100L |
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Teilstatus | Obsolete |
FET Typ | N-Channel |
Spannungsabfall (V (BR) GSS) | - |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | - |
Strom - Abfluss (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 1.4µA @ 10V |
Stromabfluss (Id) - Max | 10mA |
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id | 3.5V @ 1µA |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5pF @ 10V |
Widerstand - RDS (Ein) | - |
Leistung max | 200mW |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Lieferantengerätepaket | Mini3-G1 |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 0.2A SMINI
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 100MA USM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.1A SSM
Auf Lager: 0
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH S-MINI FET
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH S-MINI FET
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 50V S-MINI
Auf Lager: 3000
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET N-CH 50V S-MINI
Auf Lager: 3000
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: JFET N-CH SOT23
Auf Lager: 3000
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: JFET N-CH SOT23
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: JFET N-CH SOT23
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