Artikelnummer | DMG214010R |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | 1 PNP Pre-Biased, 1 NPN |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | - |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 4.7k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 20 @ 5mA, 10V / 210 @ 2mA, 10V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 10mA, 100mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA, 100µA |
Frequenz - Übergang | 150MHz |
Leistung max | 300mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-23-6 |
Lieferantengerätepaket | Mini6-G4-B |
Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: TRANS NPN PNP 50V MINI5-G3-B
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Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.1A MINI6
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Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.5A MINI6
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Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 20V/10V 0.5A MINI6
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Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V/10V MINI6
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Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 20V/50V MINI6
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Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: TRANS PNP PREBIAS/NPN 0.3W MINI6
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
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Hersteller: Diodes Incorporated
Beschreibung: MOSFET NCH 20V 2.4A SOT23
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