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| Artikelnummer | FL6L52010L |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8 V, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 300pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 540mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 1A, 4V |
| Betriebstemperatur | 125°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | WSSMini6-F1 |
| Paket / Fall | 6-SMD, Flat Leads |
Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2A WSSMINI6
Auf Lager: 0
Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1A MINI6-F1
Auf Lager: 0
Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2A MINI6-F1
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Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1A MINI6-F1
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