Artikelnummer | LN660000R |
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Teilstatus | Obsolete |
Art | Infrared (IR) |
Aktuell - DC Vorwärts (If) (Max) | 100mA |
Strahlungsintensität (Ie) Min @ If | 5mW/sr @ 50mA |
Wellenlänge | 950nm |
Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ) | 1.3V |
Blickwinkel | 50° |
Orientierung | Top View |
Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TA) |
Befestigungsart | Through Hole |
Paket / Fall | T 1 3/4 |
Hersteller: Monolithic Power Systems Inc.
Beschreibung: MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP
Auf Lager: 0
Hersteller: Monolithic Power Systems Inc.
Beschreibung: MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
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Hersteller: Monolithic Power Systems Inc.
Beschreibung: MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC
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