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| Artikelnummer | XN0NE9200L |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 12V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±15V |
| FET-Eigenschaft | Schottky Diode (Isolated) |
| Verlustleistung (Max) | 600mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 450 mOhm @ 800mA, 4V |
| Betriebstemperatur | 125°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | Mini5-G1 |
| Paket / Fall | SC-74A, SOT-753 |
Hersteller: Panasonic Electronic Components
Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 1.2A MINI-5P
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