Artikelnummer | DTB743XMT2L |
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Teilstatus | Not For New Designs |
Transistor-Typ | PNP - Pre-Biased |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 200mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 30V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 4.7k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 10k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 140 @ 100mA, 2V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 260MHz |
Leistung max | 150mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | SOT-723 |
Lieferantengerätepaket | VMT3 |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 150MW EMT3
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
Auf Lager: 8000
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