Artikelnummer | DTD113ZUT106 |
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Teilstatus | Active |
Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 500mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 1k |
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 10k |
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 50mA, 5V |
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
Frequenz - Übergang | 200MHz |
Leistung max | 200mW |
Befestigungsart | Surface Mount |
Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
Lieferantengerätepaket | UMT3 |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
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Beschreibung: NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3
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Beschreibung: NPN 500MA/50V DIGITAL TRANSISTOR
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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3
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