Artikelnummer | R6030KNZC8 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2350pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 86W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 14.5A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-3PF |
Paket / Fall | TO-3P-3 Full Pack |
Hersteller: Powerex Inc.
Beschreibung: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB
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