Artikelnummer | RAF040P01TCL |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 12V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 37nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4000pF @ 6V |
Vgs (Max) | -8V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 800mW (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 4A, 4.5V |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TUMT3 |
Paket / Fall | 3-SMD, Flat Leads |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 4A TUMT3
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