Artikelnummer | RAQ045P01TCR |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 12V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4200pF @ 6V |
Vgs (Max) | -8V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 600mW (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TSMT6 (SC-95) |
Paket / Fall | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: 1.5V DRIVE PCH MOSFET
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 12V 4.5A TUMT6
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