Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln RQ3E100MNTB1

Rohm Semiconductor RQ3E100MNTB1

Artikelnummer
RQ3E100MNTB1
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 10A HSMT8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
ROHM Semiconductor

ROHM Semiconductor

rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.

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Menge:
Produktparameter
Artikelnummer RQ3E100MNTB1
Teilstatus Not For New Designs
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 9.9nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 520pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 12.3 mOhm @ 10A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-HSMT (3.2x3)
Paket / Fall 8-PowerVDFN
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