rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.
| Artikelnummer | RRS110N03TB1 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 33nC @ 5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 12.6 mOhm @ 11A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 10A 8SOIC
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 12.5A 8-SOIC
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC
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