Artikelnummer | RSE002P03TL |
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Teilstatus | Not For New Designs |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 200mA (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 30pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 150mW (Ta) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 200mA, 10V |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | EMT3 |
Paket / Fall | SC-75, SOT-416 |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 0.25A EMT3
Auf Lager: 9000
Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 200MA SOT416
Auf Lager: 3000