rohm was established in kyoto, japan, in 1958. rohm designs and manufactures semiconductors, integrated circuits and other electronic components. these components find a home in the dynamic and ever-growing wireless, computer, automotive and consumer electronics markets.
| Artikelnummer | RU1C001UNTCL |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.2V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 100µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7.1pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 150mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | UMT3F |
| Paket / Fall | SC-85 |
Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.1A UMT3F
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.1A UMT3F
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 0.2A UMT3F
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 0.2A UMT3F
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