Artikelnummer | EKI10126 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 66A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1.5mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 88.8nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6420pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 135W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 11.6 mOhm @ 33A, 10V |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
Paket / Fall | TO-220-3 |
Hersteller: Advantech Corp
Beschreibung: GATEWAY 1P RS232/422/485 MODBUS
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Beschreibung: ROUTER 3G HSPA ETH
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Hersteller: Advantech Corp
Beschreibung: GATEWAY MODBUS ESS CU DIN
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Hersteller: Advantech Corp
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