Artikelnummer | SKP202VR |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 45A (Ta) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±30V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 95W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 53 mOhm @ 20A, 10V |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | TO-263-3 |
Paket / Fall | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: IGBT 1200V 6.2A 62W TO220-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: IGBT 600V 6A 30W TO220-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: IGBT 600V 9.4A 50W TO220-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: IGBT 600V 12A 68W TO220-3
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Hersteller: Infineon Technologies
Beschreibung: IGBT 600V 20A 92W TO220-3
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