Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln 2N6059

STMicroelectronics 2N6059

Artikelnummer
2N6059
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
TRANS NPN DARL 100V 12A TO-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Produktparameter
Artikelnummer 2N6059
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN - Darlington
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 12A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 100V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 3V @ 120mA, 12A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1mA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 6A, 3V
Leistung max 150W
Frequenz - Übergang 4MHz
Betriebstemperatur 200°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall TO-204AA, TO-3
Lieferantengerätepaket TO-3
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