Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STB35N65M5

STMicroelectronics STB35N65M5

Artikelnummer
STB35N65M5
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Gesamt:4.23500/pcsUnit Price:
4.23500/pcs
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Menge:
Produktparameter
ArtikelnummerSTB35N65M5
TeilstatusActive
FET TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C27A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)10V
Vgs (th) (Max) @ Id5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs83nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds3750pF @ 100V
Vgs (Max)±25V
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)160W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs98 mOhm @ 13.5A, 10V
Betriebstemperatur150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
LieferantengerätepaketD2PAK
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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