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| Artikelnummer | STD4NK100Z |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1000V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 601pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 90W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 6.8 Ohm @ 1.1A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET PCH 40V 20A DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET P-CH 80V DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 44A DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 45A DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 75V 40A DPAK
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