Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STE110NS20FD

STMicroelectronics STE110NS20FD

Artikelnummer
STE110NS20FD
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 110A ISOTOP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Produktparameter
Artikelnummer STE110NS20FD
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 200V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 110A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 504nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7900pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 500W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 50A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Lieferantengerätepaket ISOTOP®
Paket / Fall ISOTOP
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