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| Artikelnummer | STGD5H60DF |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 10A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 20A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 1.95V @ 15V, 5A |
| Leistung max | 83W |
| Energie wechseln | 56µJ (on), 78.5µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 43nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 30ns/140ns |
| Testbedingung | 400V, 5A, 47 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 134.5ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Lieferantengerätepaket | DPAK |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: IGBT 600V 10A DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: IGBT 600V 20A 62W D2PAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: IGBT 600V 20A 60W DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: IGBT 600V 20A 62W DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: IGBT 600V 18A 60W DPAK
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Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: MOSFET N-CH 20V 3.3A SC74
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: IGBT 600V 25A 80W DPAK
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: IGBT 420V 25A 125W IPAK
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