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STMicroelectronics STGYA120M65DF2

Artikelnummer
STGYA120M65DF2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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  • 500 pcs

    3.80625/pcs
Gesamt:5.51500/pcs Unit Price:
5.51500/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer STGYA120M65DF2
Teilstatus Active
IGBT-Typ NPT, Trench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 650V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 160A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 360A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 120A
Leistung max 625W
Energie wechseln 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 420nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 66ns/185ns
Testbedingung 400V, 120A, 4.7 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 202ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3 Exposed Pad
Lieferantengerätepaket MAX247™
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Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S

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