Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STI18N60M2

STMicroelectronics STI18N60M2

Artikelnummer
STI18N60M2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 9A I2PAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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Produktparameter
ArtikelnummerSTI18N60M2
TeilstatusActive
FET Typ-
Technologie-
Drain auf Source-Spannung (Vdss)-
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C-
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Vgs (Max)-
FET-Eigenschaft-
Verlustleistung (Max)-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs-
Betriebstemperatur-
Befestigungsart-
Lieferantengerätepaket-
Paket / Fall-
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