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| Artikelnummer | STL110NS3LLH7 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 13.7nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2110pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 4W (Ta), 75W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 14A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerFlat™ (5x6) |
| Paket / Fall | 8-PowerSMD, Flat Leads |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 21A PWRFLAT5X6
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 11A POWERFLAT
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V PWRFLAT 5X6
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 9A POWERFLAT
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