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| Artikelnummer | STP16N65M2 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 718pF @ 100V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 110W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 360 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N CH 100V 80A TO-220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 8A TO-220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 1050V 6A TO-220AB
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 80A TO220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 100A F7 TO220AB
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V TO-220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 10A TO220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 100A TO220
Auf Lager: 0
