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| Artikelnummer | STP200N4F3 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5100pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 300W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 80A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220-3 |
| Paket / Fall | TO-220-3 |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: N-CHANNEL 30 V, 2 MOHM TYP., 120
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 120A TO220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 120A TO-220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 120A TO-220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 13A TO220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 18A TO-220
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Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: N-CHANNEL 900 V, 0.24 OHM TYP.,
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