Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln STW21N65M5

STMicroelectronics STW21N65M5

Artikelnummer
STW21N65M5
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 17A TO-247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
STMicroelectronics

STMicroelectronics

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3.52000/pcs
Zielpreis:
Menge:
Produktparameter
Artikelnummer STW21N65M5
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 17A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 50nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1950pF @ 100V
Vgs (Max) ±25V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 125W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 8.5A, 10V
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247-3
Paket / Fall TO-247-3
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