Artikelnummer | STW60NM50N |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 500V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 68A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 178nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5790pF @ 100V |
Vgs (Max) | ±25V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 446W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 43 mOhm @ 34A, 10V |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-247 |
Paket / Fall | TO-247-3 |
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 46A TO-247
Auf Lager: 659
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N CH 500V 68A TO-247
Auf Lager: 533
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V TO-247
Auf Lager: 298
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 65A TO-247
Auf Lager: 45
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 60A
Auf Lager: 275
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 46A
Auf Lager: 501
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: N-CHANNEL 600V M6 POWER MOSFET
Auf Lager: 0
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 58A TO-247
Auf Lager: 2301
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 58A TO-247-4
Auf Lager: 582