STMicroelectronics STY112N65M5

Artikelnummer: STY112N65M5
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 93A MAX247
Bleifreier Status / RoHS-Status: Lead free / RoHS Compliant
Familie: Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln

STMicroelectronics

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Menge:

Produktparameter

Artikelnummer	STY112N65M5
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	650V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	96A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	350nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	16870pF @ 100V
Vgs (Max)	±25V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	625W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	22 mOhm @ 47A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Through Hole
Lieferantengerätepaket	MAX247™
Paket / Fall	TO-247-3