Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln CSD16321Q5

Texas Instruments CSD16321Q5

Artikelnummer
CSD16321Q5
Hersteller
Texas Instruments
Beschreibung
MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
Texas Instruments

Texas Instruments

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Produktparameter
Artikelnummer CSD16321Q5
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 25V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 31A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 3V, 8V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.4V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3100pF @ 12.5V
Vgs (Max) +10V, -8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 3.1W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 2.4 mOhm @ 25A, 8V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 8-VSON-CLIP (5x6)
Paket / Fall 8-PowerTDFN
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