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| Artikelnummer | CSD25303W1015 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 435pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.5W (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 58 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 6-DSBGA (1x1.5) |
| Paket / Fall | 6-UFBGA, DSBGA |
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Auf Lager: 3000
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
Auf Lager: 250
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3.2A 6DSBGA
Auf Lager: 0
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGA
Auf Lager: 0
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2.2A 6DSBGA
Auf Lager: 0
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Auf Lager: 0
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Auf Lager: 0
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 3A 6DSBGA
Auf Lager: 2000
