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| Artikelnummer | TPS1100DG4 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 15V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.7V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.45nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | +2V, -15V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 791mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 1.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOIC |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET P-CH 15V 1.6A 8-SOIC
Auf Lager: 0
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP
Auf Lager: 766
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
Auf Lager: 2775
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET P-CH 15V 2.3A 8-SOIC
Auf Lager: 10000
Hersteller: Texas Instruments
Beschreibung: MOSFET P-CH 15V 2.18A 16-TSSOP
Auf Lager: 0
