Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln 2SC2229-O(T6MIT1FM

Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229-O(T6MIT1FM

Artikelnummer
2SC2229-O(T6MIT1FM
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Artikelnummer 2SC2229-O(T6MIT1FM
Teilstatus Last Time Buy
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 50mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 150V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 1mA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Leistung max 800mW
Frequenz - Übergang 120MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Lieferantengerätepaket TO-92MOD
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