Zuhause Produkt-Index Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln 2SC4213BTE85LF

Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4213BTE85LF

Artikelnummer
2SC4213BTE85LF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
TRANS NPN 20V 0.3A USM
Bleifreier Status / RoHS-Status
Lead free / RoHS Compliant
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Menge:
Produktparameter
Artikelnummer 2SC4213BTE85LF
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 300mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 20V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 100mV @ 3mA, 30A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 350 @ 4mA, 2V
Leistung max 100mW
Frequenz - Übergang 30MHz
Betriebstemperatur 125°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SC-70, SOT-323
Lieferantengerätepaket USM
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