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| Artikelnummer | 2SK879-Y(TE85L,F) |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Spannungsabfall (V (BR) GSS) | - |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | - |
| Strom - Abfluss (Idss) @ Vds (Vgs = 0) | 1.2mA @ 10V |
| Stromabfluss (Id) - Max | - |
| Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id | 400mV @ 100nA |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 8.2pF @ 10V |
| Widerstand - RDS (Ein) | - |
| Leistung max | 100mW |
| Betriebstemperatur | 125°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-70, SOT-323 |
| Lieferantengerätepaket | USM |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: JFET N-CH 0.1W USM
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: JFET N-CH 0.1W USM
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