Toshiba Semiconductor and Storage DF2B7AE,H3F

Artikelnummer: DF2B7AE,H3F
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: ESD DIODE BI-DIRECTIONAL
Bleifreier Status / RoHS-Status: Lead free / RoHS Compliant
Familie: TVS - Dioden

Toshiba Semiconductor and Storage

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0.01200/pcs
100,000 pcs
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Unit Price:

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Menge:

Produktparameter

Artikelnummer	DF2B7AE,H3F
Teilstatus	Active
Art	Zener
Unidirektionale Kanäle	-
Bidirektionale Kanäle	1
Spannung - Reverse Standoff (Typ)	5.5V (Max)
Spannung - Ausfall (Min.)	5.8V
Spannung - Spannung (Max) @ Ipp	20V
Strom - Spitzenpuls (10 / 1000μs)	4A (8/20µs)
Leistung - Spitzenpuls	80W
Stromleitungsschutz	No
Anwendungen	-
Kapazität @ Frequenz	8.5pF @ 1MHz
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Paket / Fall	SC-79, SOD-523
Lieferantengerätepaket	ESC