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| Artikelnummer | HN1B01FU-Y(L,F,T) |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN, PNP |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 150mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 2mA, 6V |
| Leistung max | 200mW |
| Frequenz - Übergang | 120MHz |
| Betriebstemperatur | 125°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Lieferantengerätepaket | US6 |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74
Auf Lager: 0
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74
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Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
Auf Lager: 0
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6
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