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| Artikelnummer | RN1415(TE85L,F) |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 2.2k |
| Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 10k |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Leistung max | 200mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Lieferantengerätepaket | S-Mini |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
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Beschreibung: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Beschreibung: DIODE FAST REC 50V 100MA 2EMD TR
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