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| Artikelnummer | SSM6J206FE(TE85L,F |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 4V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 335pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 500mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 1A, 4V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | ES6 (1.6x1.6) |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 2A ES6
Auf Lager: 4000
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 1.4A ES6
Auf Lager: 0
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P-CH 20V 4A ES6
Auf Lager: 0
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P CH 20V 2.6A ES6
Auf Lager: 4000
Hersteller: Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung: MOSFET P CH 20V 3.4A ES6
Auf Lager: 12000
